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29 Sep, 2026 5 Vues Auteur : Cherry Shen

Guide complet des tests de composants CI à l'aide d'un équipement de test ESD CDM avancé

Abstract
Lors de la production, du transport et de l'assemblage des puces semi-conductrices, les décharges électrostatiques induites par le modèle de dispositif chargé (CDM) constituent une cause majeure de défaillances inattendues des circuits intégrés. Ces défaillances se caractérisent par une forte dissimulation, une durée d'impulsion ultracourte et une grande difficulté à les reproduire. Les tests conventionnels basés sur le modèle du corps humain (HBM) et le modèle machine (MM) ne permettent pas de couvrir entièrement ces risques de défaillance. L'équipement de test ESD CDM pour composants de circuits intégrés reproduit le phénomène de décharge transitoire lors du contact de dispositifs chargés avec des conducteurs mis à la terre et permet d'évaluer la tolérance électrostatique des composants de circuits intégrés. Cet article traite de cette question. LISUN Simulateur ESD-CDM pour semi-conducteurs CDM Cet article examine le principe de fonctionnement, la composition matérielle, la conformité aux normes, les procédures de test complètes et la valeur d'application technique de l'équipement de test ESD CDM pour composants IC, afin de fournir une référence de test complète et applicable pour la recherche sur la fiabilité, le contrôle qualité en production de masse et la certification de conformité internationale des dispositifs semi-conducteurs.

Introduction

Lors de la manipulation sur les lignes de production, du transport des emballages et de l'assemblage automatisé, les puces semi-conductrices accumulent des charges électrostatiques par friction et induction de champ électrique. Lorsque les broches du composant entrent en contact avec des fixations mises à la terre, des pastilles de circuit imprimé ou des pièces métalliques d'équipements automatisés, une décharge transitoire de l'ordre de la nanoseconde se produit : il s'agit d'une décharge électrostatique en mode dispositif chargé (CDM). L'impulsion de décharge dure généralement moins d'une nanoseconde, avec un courant de crête pouvant atteindre plusieurs dizaines d'ampères. Bien que l'énergie totale de la décharge soit faible, sa densité de puissance est extrêmement élevée, ce qui peut endommager directement la couche d'oxyde de grille des puces et entraîner la destruction des circuits internes, une dérive des paramètres ou une panne fonctionnelle permanente. De nombreuses puces fonctionnent correctement après le contrôle en usine, mais présentent des défauts inexpliqués après leur mise en circulation et leur assemblage. Une grande partie de ces problèmes provient de dommages latents induits par les chocs électrostatiques CDM, difficilement détectables par un simple contrôle visuel.

La plupart des appareils de test ESD traditionnels se concentrent sur le modèle du corps humain et le modèle machine. Leur architecture et leur capacité d'acquisition de formes d'onde ne répondent pas aux exigences strictes des tests CDM, et ils présentent généralement des inconvénients tels que des procédures d'utilisation complexes, une stabilité insuffisante des formes d'onde de décharge et une importante erreur de contrôle de la tension. L'équipement de test ESD CDM pour composants CI est spécialement conçu pour les scénarios de décharge par contact. Grâce à une conception intégrée d'injection de charge et de décharge par contact, il permet de contrôler précisément la tension de charge et la vitesse de décharge, de capturer intégralement les formes d'onde de courant transitoire, de quantifier la limite de tolérance aux chocs électrostatiques CDM des puces, d'identifier les défauts de conception en amont et de réduire la probabilité de défaillance lors des phases de production en série et d'application ultérieures.

ESD CDM AL

Architecture matérielle et paramètres principaux de l'équipement de test ESD CDM pour composants CI

Le complet LISUN Le système de simulation de décharge électrostatique (ESD) ESD-CDM pour semi-conducteurs se compose de trois unités principales : une alimentation CC haute tension, un châssis de test et une sonde de test électrostatique. Cet équipement peut réaliser des tests en mode CDM de manière autonome. Il peut également partager le châssis avec le simulateur ESD-883D pour semi-conducteurs afin d'étendre les tests composites aux modèles CDM, HBM et MM et de permettre une évaluation multidimensionnelle de la susceptibilité électrostatique des dispositifs. L'alimentation CC haute tension fournit une tension élevée positive et négative contrôlable pour assurer la charge induite par le champ électrique des dispositifs testés. Le châssis de test supporte le circuit intégré testé et est équipé d'un système de réglage de déplacement tridimensionnel et d'une structure de protection contre les hautes tensions. La sonde de test électrostatique effectue une décharge par contact et intègre un atténuateur pour générer des signaux de courant de décharge destinés à l'enregistrement et à l'analyse sur un oscilloscope externe. Les principales caractéristiques matérielles de l'équipement sont résumées dans le tableau ci-dessous.

Unité fonctionnelle Produit Spécifications
Alimentation CC haute tension Plage de sortie de tension ±(50V~6kV)
Alimentation CC haute tension Précision de la tension de sortie ±(3% de la lecture +10V)
Ordinateur central de test Plage de réglage sur 3 axes X/Y/Z 0‑10 cm, résolution de réglage 0.1 mm
Ordinateur central de test Dimensions de la plaque à induction 12 cm * 12 cm * 2 mm
Ordinateur central de test Dimensions et matériau de la plaque d'isolation 12 cm × 12 cm × 0.4 mm, matériau isolant FR4
Sonde de test électrostatique Capacité de mesure de courant maximale 20A
Sonde de test électrostatique Vitesse de déplacement de la sonde 0.1 cm/s à 5 cm/s (mode double programmé et manuel)
Sonde de test électrostatique Dimensions standard de la plaque de mise à la terre 63.5mm * 63.5mm * 6.35mm

La protection contre les surtensions est intégrée au châssis de test. La plaque d'induction haute tension est isolée afin d'éviter les risques liés aux fuites de tension et de garantir la sécurité de l'opérateur. Cette plaque, associée à la plaque d'isolation FR4, constitue la plateforme de test. Le matériau FR4 répond aux exigences JEDEC pour les matériaux des plateformes de test CDM et génère des champs d'induction électrostatique uniformes et stables, assurant ainsi une répartition homogène de la charge sur les composants. La sonde de test électrostatique, d'un diamètre de 1.5 mm et d'une course télescopique d'environ 3 mm, est compatible avec les principaux boîtiers semi-conducteurs, notamment DIP, SOP, QFP, BGA et TO. Dotée d'un atténuateur dédié, la sonde dispose d'interfaces d'acquisition de signal permettant la connexion directe à un oscilloscope pour la capture des impulsions de décharge nanosecondes. L'appareil est équipé d'un écran tactile Android bilingue (chinois-anglais) pour une configuration simplifiée des paramètres. Les données de test, telles que les formes d'onde de tension et de courant, peuvent être enregistrées directement, améliorant ainsi la répétabilité et l'efficacité des tests.

Système de normes d'essai applicable

LISUN L'équipement de test ESD-CDM pour composants CI est entièrement conforme aux principales normes nationales et internationales d'essais de décharge électrostatique CDM. Les normes internationales incluent ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014, IEC 60749-28:2022, AEC-Q100-011, EIA/JESD22-C101 et JEITA ED-4701/300, méthode d'essai 305. La norme nationale correspondante est GB/T 4937.28-2024 : Dispositifs semi-conducteurs — Méthodes d'essais mécaniques et climatiques — Partie 28 : Essais de sensibilité aux décharges électrostatiques — Modèle de dispositif chargé, qui est une conversion identique de la norme IEC 60749-28:2022. Pour les puces de qualité automobile, les circuits intégrés de qualité grand public et les semi-conducteurs de puissance, cet équipement de test ESD CDM pour composants IC peut être utilisé pour la classification de la susceptibilité électrostatique CDM au niveau des composants, la vérification de la fiabilité et les tests de certification par des tiers, et les données de test générées peuvent être directement adoptées dans les rapports de certification.

Procédures de test CDM complètes pour les composants de circuits intégrés

Les tests CDM formels sur les composants CI doivent respecter scrupuleusement les spécifications standard afin de contrôler des paramètres clés tels que la précision de positionnement, le temps de stabilisation de la charge et la vitesse de déplacement de la sonde, et de minimiser les erreurs de test dues à une manipulation manuelle. La première étape consiste à monter le circuit intégré. Placez le semi-conducteur à tester sur la plaque d'isolation et fixez-le à l'aide de fixations compatibles, broches orientées vers le haut. Assurez-vous de l'absence de jeu ou de décalage afin d'éviter toute perturbation des effets de décharge causée par un déplacement du composant pendant le test. La deuxième étape est le calibrage de la position. Ajustez les molettes 3 axes X/Y/Z de la base pour aligner la broche cible juste en dessous du centre de la sonde de test, avec une précision de calibrage de 0.1 mm afin de satisfaire aux exigences JEDEC en matière d'erreur de positionnement. La troisième étape est la mise en service de la sonde. Déplacez manuellement la sonde jusqu'à sa course maximale et abaissez-la lentement jusqu'à ce qu'elle touche la broche du composant. Évitez toute pression excessive susceptible d'endommager la puce. Après confirmation du contact, rétractez la sonde en position de veille et ménagez un espace de sécurité de 5 à 10 mm entre la sonde et la broche. La quatrième étape est le paramétrage. Réglez la vitesse de déplacement vertical de la sonde sur l'interface tactile. Pour les puces à boîtier fragile, une vitesse de 0.5 à 2 cm/s est recommandée afin d'éviter tout dommage mécanique causé par la sonde. L'étape 5 consiste en la charge électrostatique. Réglez la tension cible sur l'alimentation haute tension et effectuez la charge induite par champ sur le composant via la plaque d'induction haute tension. Maintenez un temps de stabilisation de 1 à 2 secondes pour obtenir une distribution de charge complète et uniforme à l'intérieur du composant. L'étape 6 consiste en l'exécution du test de décharge. Lancez la routine de descente automatique de la sonde. La sonde entre en contact avec la broche du composant pour déclencher la décharge CDM. Les signaux de courant de décharge instantanés sont transmis via l'atténuateur à l'oscilloscope avec une fréquence d'échantillonnage d'au moins 1 GHz pour la capture et l'enregistrement de la forme d'onde des impulsions à l'échelle de la nanoseconde. Après une décharge unipolaire sur une broche, inversez la polarité de la haute tension et la broche cible pour effectuer des tests de contrainte de décharge CDM cycliques positifs et négatifs sur toutes les broches. Une fois le test terminé, comparez les paramètres électriques et l'état fonctionnel du composant avant et après la contrainte afin de déterminer son indice de susceptibilité électrostatique CDM.

Valeur de l'application technique et précautions de test

L'équipement de test ESD CDM pour composants CI offre de multiples avantages tout au long de la chaîne de valeur de l'industrie des semi-conducteurs. Lors de la phase de recherche et développement des puces, les ingénieurs concepteurs peuvent utiliser cet équipement pour localiser les points faibles sensibles aux décharges électrostatiques (CDM) à l'intérieur des puces et optimiser la conception du circuit de protection ESD intégré. Dans les usines d'encapsulation, il peut être utilisé pour le contrôle à réception et le test de fiabilité des produits finis afin d'éliminer en amont les produits présentant une tolérance CDM insuffisante. Pour les puces de qualité automobile nécessitant une certification de conformité, les résultats des tests prennent en charge des normes telles que l'AEC-Q100. Il convient de noter que les impulsions de décharge CDM sont des signaux à haute vitesse, de l'ordre de la picoseconde à la nanoseconde. Les câbles, les atténuateurs et la bande passante de l'oscilloscope de l'ensemble du système de test influent directement sur la fidélité du signal. En pratique, un étalonnage régulier du système est indispensable pour garantir que les erreurs de tension et les indices de forme d'onde du courant répondent aux exigences standard. Les dispositifs de grande taille nécessitent un temps de stabilisation de charge plus long pour une accumulation de charge suffisante.

Conclusion

Avec la miniaturisation croissante des procédés de fabrication des semi-conducteurs, les couches d'oxyde de grille des puces s'amincissent et les circuits intégrés deviennent plus vulnérables aux décharges électrostatiques induites par contact (CDM). Ces décharges sont devenues une cause majeure de défaillance des puces. Les équipements de test ESD pour composants de circuits intégrés permettent de reproduire fidèlement les scénarios de décharge par contact lors de la production et de l'assemblage, et de réaliser des tests de sensibilité électrostatique au niveau des composants, avec une haute précision et une grande répétabilité. LISUN Simulateur ESD-CDM pour semi-conducteurs CDM Ce dispositif surmonte les limitations des instruments de test CDM conventionnels. Sa structure matérielle, sa précision de contrôle et sa conformité aux normes répondent aux exigences pratiques de la recherche, du contrôle qualité et de la certification dans l'industrie des semi-conducteurs chinoise. Lors de la vérification de la fiabilité des circuits intégrés, les entreprises doivent accorder une importance particulière aux tests CDM et intégrer un équipement de test ESD CDM pour composants de circuits intégrés dans leurs systèmes de test de fiabilité. Les défaillances latentes induites par l'électricité statique CDM peuvent ainsi être évitées au niveau des composants, améliorant la fiabilité globale des circuits intégrés.

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